100ns级高速响应，多至48通道单片集成，全固态波导芯片，超低光损耗
通道间光功率均衡或阻塞，模拟信号调制
高速可调阵列光衰减器
简介
具备支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切换速度更快等特性。硅基VOA阵列器件内部为全固态芯片，具有百纳秒级的响应速度，八通道单片集成，功耗低，满足光传输、光传感系统对光衰减器高速响应、小型化、高可靠的需求。其响应速度比传统VOA提升4个数量级，达到100ns级，使WDM光网络中光功率快速控制成为可能。此外，其超低的光损耗可满足民用光网络应用要求，极高的集成度有助于大幅度减小模块尺寸，纯固态波导芯片使其具备卓越的可靠性。
主要指标（典型值）
性能指标
单位
指标
备注
工作波长
nm
1525～1565
响应时间
ns
100-300
插入损耗
dB
1.2
光纤进到光纤出的损耗
衰减范围
25
偏振相关性
≤0.3
@0dB衰减时
≤0.5
@0~25dB衰减时
功耗(@18dB衰减)
mW
150
随衰减量增大而增大
电压
V
电流
mA
0-35
集成度
/
6CH/48CH
工作波长范围（nm）:1525～1565,响应时间(ns):100-300,衰减范围(dB):25
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