SOI芯片式光电探测器阵列，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。
SOI芯片光电探测器-混频光电探测器阵列特性
SOI芯片光电探测器-混频光电探测器阵列规格参数
| 参数指标 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 波长范围 | nm | 1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm | ||
| 暗电流 | nA | 30@-1V, | ||
| 3dB 模拟带宽 | GHz | 30@-2V | ||
| 光饱和功率 | mW | 10 | ||
| 响应度 | A/W | 0.8 | ||
| 90度光学混频器损耗 | dB | 6 | 6.5 | 6.7 |
| 90度光学混频器相位失衡度 | ° | 5 | ||
| 通道数 | 1,2,3,4,5 或可定制 | |||
| 光纤接入损耗 | dB | ≤1.5 | ||
| 偏振相关损耗 | dB | ≤0.5 | ||
| 工作温度范围 | ℃ | -20 | 50 | |
| 工作湿度范围 | % | +65 | ||
| 芯片尺寸 | mm | 阵列式光电探测器:0.75(L)x0.42(W)x0.5(H)@1CH 阵列式混频探测器:1.3(L)x0.9(W)X0.5(H)@1CH 4 通道混频探测器:1.3(L)x3.1(W)x0.5(H) | ||
SOI芯片光电探测器-混频光电探测器阵列芯片尺寸
四川梓冠光电SOI芯片光电探测器阵列订货信息
| ZG | 波长 | 通道数 | 类型 |
| 13=1310nm 15=1550nm | 1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH 48=48CH XX=other | 1=光电探测器 1=PD 2=混频器 2=Mixer XX=other |
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