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硅基光芯片: 四川梓冠光电硅基光芯片厂家生产的硅基光芯片包括SOI芯片光延时线、SOI芯片偏振控制器-开关阵列、SOI高速光开关1x8、SOI芯片光电探测器-混频光电探测器阵列、SOI高速多通道光衰减器、SOI高速光开关阵列等，可咨询获取可咨询获取SOI光芯片价格。

SOI高速光开关1x8

2025-03-04

SOI高速光开关1x8波长1530-1565nm、插损≤8db、开关速度<200ns

产品描述

SOI高速光开关1x8具有多通道、高集成度芯片化、高速响应、高串扰的特点，主要应用于光纤传感、光纤通信、光网络监控与保护、激光器雷达等领域
SOI高速光开关阵列

2023-09-08

SOI高速光开关阵列

产品描述

SOI高速光开关阵列具有多通道，高集成度芯片化，高速响应的特性，主要应用于光纤传感，光纤通信，光网络监控与保护等领域
SOI高速多通道光衰减器

2023-09-08

SOI高速多通道光衰减器波长范围1530-1570nm或1270-1330nm

产品描述

SOI芯片式多通道可调光衰减器具有多通道，高集成度芯片化，高速响应的特性，主要应用于光纤传感，光纤通信，光网络监控与保护等领域
SOI芯片光延时线

2025-03-04

SOI芯片光延时线波长范围1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm

产品描述

SOI芯片光延时线具有多通道、高集成度芯片化、高速响应等特点，主要应用于光纤传感、光纤通信、激光雷达等领域
SOI芯片偏振控制器-开关阵列

2025-03-04

SOI芯片偏振控制器-开关阵列波长范围1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm

产品描述

SOI芯片偏振控制器-开关阵列具有多通道、高度集成度芯片化、高速响应等特点，主要应用于光纤传感、光纤通信、激光雷达等领域
SOI芯片光电探测器-混频光电探测器阵列

2023-09-08

SOI芯片光电探测器阵列波长范围：1530-1570nm或1270-1330nm

产品描述

SOI芯片式光电探测器阵列具有多通道，高集成度芯片化，大模拟带宽等特性，主要应用于光纤传感，光纤通信，激光雷达等领域

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