梓冠光电的单片集成 6 比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到 1 μs 以下,硅波导延时使其延时精度提升 1 个量级,厚膜 SOI 硅光技术使其光损耗达到工程应用水平,单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题,是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产品。
一、单片集成 6 比特光延时芯片特性
高速切换
高延时精度
超小尺寸
超宽带工作
全固态波导芯片可靠性强
二、单片集成 6 比特光延时芯片应用
光控相控阵雷达系统、电子对抗系统
三、单片集成 6 比特光延时芯片规格参数
性能指标 | 单位 | 典型值 | 备注 |
延时位数 | / | 6 | 可定制 |
最小延时步进 | ps | 59.2 | 可定制 |
可调节最大延时量 | ps | 3729.6 | |
延时偏差 | ps | ≤±0.5 | ≤±1@max |
延时切换时间 | µs | ≤1 | |
插入损耗 | dB | 14 | |
各延时态损耗差异 | dB | ±0.5 | |
波损耗 | dB | 45 | |
芯片尺寸 | mm | 22×10×0.7 |
〖电管脚定义 Pin definition〗
〖延时量和光开关传输状态对应关系〗
〖芯片尺寸(单位:mm)
四川梓冠光电生产的硅基器件芯片系列包括:硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片、硅基单片集成 7bit 可调光延时器芯片、单片集成 6 比特光延时芯片、SOI芯片可调光滤波器阵列、SOI芯片光电探测器阵列、SOI高速多通道光衰减器、SOI高速光开关阵列等,欢迎咨询!