一、SOI高速光开关1x8的定义
硅光芯片用于高速光开关，其原理类似demux，将单路光分成多路，每次只选通其中一路。当前设计综合考虑工艺的成熟度、集成难度、灵活性，在 Sample A1决定采用纯光纤的模块化方案，一个模块为 1x8 形式。光开关输入、输出采用光纤/光纤阵列。采购模块化的产品，即已经封装好的、带有光纤的模块。该模块可以焊接在 的PCB 上直接使用。激光器雷达
四、SOI高速光开关1x8的性能指标
| 参数指标 | 参数 | 备注 |
| 波长 | 1530-1565nm | |
| 光开关构架 | 1x8 | 双向、TE/TM |
| 开关速度 | <200ns | |
| 插损 | ≤8db | 光纤到光纤(室温) |
| 消光比 | >18db | |
| 申扰 | >25db | |
| 回波损耗 | >35db | 入射到光纤中功率与反射功率的比值 |
| 最大光功率 | 300mw | 输入功率 |
| 开关重复频率(PRF) | 1MHz | |
| 工作温度范围 | -20~+70°C | |
| 存储温度 | -40~+85℃ | |
| 输入方式 | 可选 | 封装后甩线，保偏FC/APC(Sample A1)，镀层AR |
| 输出方式 | 光纤 | 封装后甩线*8，保偏FC/APC(Sample A1)，镀层AR |
| 开关寿命 | 10年 |
五、SOI高速光开关1x8模块化后的电气参数
| 参数 | 备注 | |
| 1x8 Unit功耗@300khz 开关频率(最大) | 300mW | |
| 开关驱动电流(最大) | 15mA | |
| 开关控制电压 | 2V | |
| 调整偏置电流/电压范围 | 30mA/3V | |
| 温度传感器 | 无 | 未集成温度传感器或TEC |
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