SOI芯片光电探测器阵列
SOI芯片式光电探测器阵列，该产品基于硅基锗-硅光电探测器，实现了多通道光电探测器的单片化集成，可片上集成光学混频器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相关性小，模拟带宽大，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。
SOI芯片光电探测器阵列特性
SOI芯片光电探测器阵列规格参数
参数指标 Parameters 单位 Unit 最小值 Min. 典型值 Typ. 最大值 Max. 备注 Notes 波长范围 Wavelength range nm 1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm 暗电流 Dark current nA 35 50 3 dB模拟带宽 3 dB bandwidth GHz 28 光饱和功率 Optical saturation power mW 10 响应度 Responsibility A/W 0.8 0.85 90度光学混频器损耗 90°mixer loss dB 6 6.5 6.7 90度光学混频器相位失衡度 90°mixer phase unbalance ° 5 通道数 Number of channels 8或可定制 8 or Can be customized 光纤接入损耗 Insertion loss dB ≤0.5 偏振相关损耗 PDL dB ≤0.3 工作温度范围 Operating temperature range °C -20 50 工作湿度范围 Operating humidity range % +65 芯片尺寸 Chip Dimensions mm 4(L)×5(W)×0.5(H)
芯片尺寸
四川梓冠光电SOI芯片光电探测器阵列订货信息
ZG 波长 Wavelength 通道数 Number of channels 类型 Type 13=1310nm 15=1550nm 1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH 48=48CH XX=other 1=光电探测器 1=PD 2=混频器 2=Mixer XX=other
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